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Ueda, S.

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WPLSA08 テーブルトップTHz FEL増幅装置の数値シミュレーション 186
 
  • K. Higashimura, S. Ueda, K. Yoshida, R. Kinjo, A. Mahmoud, T. Sonobe, T. Kii, K. Masuda, H. Ohgaki
    京都大学エネルギー理工学研究所
 
 

京都大学エネルギー理工学研究所では波長可変THzパラメトリック発生器をシード光源とし、光陰極型高周波電子銃を用いたテーブルトップTHz FELシステムの実現にむけて研究を行っている。電子ビームミクロパルス特性とシード光に対するFEL出力の依存性を粒子シミュレーションコードParmela並びに3次元FELゲインシミュレーションコードGENESIS1.3を用いて計算している。短パルス電子ビームを、長波長FELで用いる場合には、FEL増幅が飽和に達する前に電子がFELよりslipして相互作用を起こさなくなる現象が計算より確認された。FELが飽和しないため、電子ビームの不安定性やシード光の不安定性に対してFELを安定した出力で発振できるように装置を設計する必要がある。本会ではFEL出力安定化用の対策として、発振に適したシステム設計と電子ビームに関する考察についても発表を行う予定である。

 
WPLSA12 高温超伝導バルク磁石を用いたスタガードアレイアンジュレータにおけるアンジュレータ磁場振幅のばらつきの検討 344
 
  • R. Kinjo, T. Kii, M. Bakr Arby, K. Higashimura, K. Yoshida, S. Ueda, T. Sonobe, K. Masuda, K. Nagasaki, H. Ohgaki
    京都大学エネルギー理工学研究所
  • H. Zen
    自然科学研究機構 分子科学研究所 極端紫外光研究施設
 
 

京都大学エネルギー理工学研究所では、アンジュレータの強磁場・短周期化を めざして高温超伝導バルク磁石を用いた新型アンジュレータの開発を行っている。 実験において、高温超伝導バルク磁石に着磁する磁場を強くすると、 アンジュレータ磁場振幅のばらつきが大きくなる現象がみられた。 この原因として、着磁磁場が弱い条件では、磁石個々の臨界電流密度のばらつきは 電流の流れる領域が大小することによって吸収され全ての磁石は同じ強さとみな せるのに対し、着磁磁場が強い条件では、電流は磁石全体に流れ磁石の強さは臨界電流密度に比 例するようになる、という事が考えられる。 この問題の解決策を検討するため、ビーンモデルに基づく計算モデルに磁石個々 の臨界電流密度を取り入れた計算を行った。 アンジュレータ磁場振幅のばらつきの、磁石個々の臨界電流密度のばらつき及び 着磁磁場の強さへの依存性を調べ、許容範囲の検討を行った。

 
FPACA66 MIR-FEL Tunable Range at Kyoto University‎ 1123
 
  • M. Bakr Arby, K. Yoshida, K. Higashimura, S. Ueda, R. Kinjo, T. Sonobe, T. Kii, K. Masuda, H. Ohgaki
    Institute of Advanced Energy, Kyoto University
  • H. Zen
    UVSOR, Institute for Molecular Science
 
 

MIR-FEL facility has been constructed for developing energy materials in Kyoto ‎University. FEL gain saturation at 13.2 m has been achieved for the first time in May ‎‎2008. The tunable range of KU-FEL was estimated numerically to design the MIR-FEL ‎beamline for application purposes. The results indicated that tunable range from 5-‎‎13.2 m. The numerical and the measured results will discussed.