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FOBTA05 | SPring-8シンクロトロンの低エミッタンス化の検討 | 808 |
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SPring-8では、将来計画として蓄積リングを低エミッタンス化することが検討されている。入射器としてXFELのライナックが候補に上がっているが、専用の入射器が望ましいと考え、私案ではあるが現在のシンクロトロンを低エミッタンス化することを検討した。その結果、偏向電磁石を2分割して数を2倍にすれば17nm、3分割すれば5nmまでエミッタンスを小さくできることがわかった。この場合電磁石をすべて作りかえなければならないため、現在のシンクロトロン、蓄積リングの電磁石を再活用する条件で2ケース検討した。第1は偏向電磁石を2分割しFODOセルの長さを現在の1/2とした場合で、エミッタンスは25nm、第2はセルの長さがケース1より長く偏向電磁石数が少ない場合で、エミッタンスは30nmとなった。2ケースともFODOセル以外の長直線部の位相の進みを360度にとり、ダイナミックアパーチャの拡大化を計った。 |