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Takeuchi, K.

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TOACC04 巨大結晶ニオブ超伝導9-セル空洞の開発 776
 
  • K. Saito, F. Furuta, T. Konomi, H. Inoue
    高エネルギー加速器研究機構
  • H. Umezawa, K. Takeuchi
    Tokyo Denkai Co. Ltd.
  • K. Nishimura
    Co. Ltd. TKX
  • T. Hamazaki, J. Oya
    Toyo Advanced Technologies Co. Ltd.
 
 

シリコンウエハースライス技術を応用して、巨大結晶ニオブインゴットから直接空洞ハーフセル材を製作した。この材料から1.3GHzのILC高電界形状(LL形状)の超伝導空洞を製作した。これまでの巨大結晶単セル空洞の研究では、LL形状・巨大結晶ニオブ材・化学研磨の組合わせにより、35MV/m以上の高電界の達成が可能である。9-セル空洞で単セル空洞並みの性能が得られるかどうかを調べた。本論文ではこの空洞の製作及び2Kでの測定性能結果について報告する。