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TOACC04 | 巨大結晶ニオブ超伝導9-セル空洞の開発 | 776 |
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シリコンウエハースライス技術を応用して、巨大結晶ニオブインゴットから直接空洞ハーフセル材を製作した。この材料から1.3GHzのILC高電界形状(LL形状)の超伝導空洞を製作した。これまでの巨大結晶単セル空洞の研究では、LL形状・巨大結晶ニオブ材・化学研磨の組合わせにより、35MV/m以上の高電界の達成が可能である。9-セル空洞で単セル空洞並みの性能が得られるかどうかを調べた。本論文ではこの空洞の製作及び2Kでの測定性能結果について報告する。 |