• T. Hara, H. Takebe, K. Togawa, H. Tanaka, N. Kumagai
  理化学研究所/XFEL
• K. Fukami
  高輝度光科学研究センター

XFELでは、低エミッタンスでピーク電流の高い電子ビームが要求される。このためLINACには、偏向電磁石４台を用いたバンチコンプレッサー部に、エネルギーチャープをかけた電子バンチを通し、バンチ長を圧縮する過程が必要となる。この時、ディスパージョンで電子ビームが水平方向に大きく広がるため、偏向電磁石の多極磁場による電子ビームエミッタンスの増大が大きいと予想される。本発表ではXFEL/SPring-8を例に、偏向電磁石の多極磁場成分が電子ビームエミッタンスに与える影響について評価し、磁場補正の必要性等を議論する。

• H. Kimura, S. Matsui, N. Azumi, T. Otsuka, S. Itakura, K. Ohshima, N. Kumagai
  理化学研究所　播磨研究所　XFEL

(独)理化学研究所は2010年度の完成を目指し、(財)高輝度光科学研究センターと協力してＸ線自由電子レーザー（XFEL）施設の建設を行っている。施設建屋（加速器棟・光源棟）は2009年3月末に完成し、現在加速器の据え付けが始まっている。 完成直後の建屋の変位は小さくなく、それらはコンクリート躯体・杭の乾燥収縮、躯体の温度変化、地盤の変位などによっておきる。特にXFEL機器を設置する収納部床面の安定性は加速器の性能の一つとして重要である。我々建設チームと据付・アライメントチームは、建屋建設の期間から収納部床部の水準測量を行い、又4月からは建屋の長手方向の変位や建屋の曲がりの計測を行い、建屋の変位に関するデータをとり続けている。 　本発表では、得られたデータを元に今後の変位を考察する。又、加速器据付基準線決定の考え方についても議論する。

• H. Takebe, T. Hara, T. Fukui, T. Otake, Y. Otake, N. Kumagai
  理化学研究所　XFEL計画推進本部
• K. Fukami
  高輝度光科学研究センター

XFEL/SPring-8の線形加速器棟の電磁石用電源（QM, St、BM、ML用電源 175台）は現在９種の先行機を製作し試験を行っている。光源棟電磁石電源（各種 計194台）は最終設計を行っており、2010年７月には全ての電磁石と電源を接続する予定である。 これらの電源はKLYSTRON高圧電源の近くに設置されるためSPring-8で開発・利用されているVME用Field Busである光IO Module を電源組込型に改造したカードモジュール(i-DIO)を用いて制御を行う。 i-DIO１枚あたり64bit のDI/DOがあるので2電源1式として制御し、i-DIO内のFPGAを利用して電流監視やローカル操作機能なども持たせる。本発表ではXFEL線形加速器棟、光源棟の電磁石電源の概要とi-DIOカードの機能について報告する。

• T. Watanabe, M. Oishi, H. Ohkuma, Y. Okayasu, S. Sasaki, M. Shoji, K. Soutome, M. Takao, T. Nakamura, K. Fukami, T. Fujita, C. Mitsuda, H. Yonehara
  高輝度光科学研究センター
• N. Kumagai
  理化学研究所　XFEL計画推進本部

A 300-m long new beam trasport line will be built from the XFEL C-band linac to the existing 8 GeV storage ring at SPring-8. Current status of the transport line work will briefly be presented. Since Coherent Synchrotron Radiation (CSR) could degrade a beam quality in such a transport line with multiple bends, tracking simulation result on the effect will be especially discussed.