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FPPSA15 | GaAs光カソード加熱によるダーク寿命の低下についての研究 | 894 |
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広島大学ビーム物理研究室では、高輝度電子源のためのGaAs光カソードの研究をおこなっており、より高い量子効率でかつ長寿命のカソード生成を目指している。本実験では、将来の高輝度電子ビーム発生で使用する大強度レーザーによる、GaAs表面加熱の寿命への影響について研究した。GaAsにおいて、Csと酸素の蒸着(Yo-Yo法)によりNEA表面を生成した後、GaAsを加熱し、そのときの寿命の変化を測定した。その結果、カソードの温度上昇とともに寿命が急激に低下することが分かった。また、寿命が時間のみに依存するダーク寿命と、引き出し電荷量に依存するビーム寿命からなると仮定し、各々を加熱時、非加熱時で比較した。非加熱時の寿命はほぼビーム寿命で決まっているのに対し、温度上昇時にはダーク寿命が急激に低下し、その成分が支配的となることが分かった。 |
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TOACC04 | 巨大結晶ニオブ超伝導9-セル空洞の開発 | 776 |
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シリコンウエハースライス技術を応用して、巨大結晶ニオブインゴットから直接空洞ハーフセル材を製作した。この材料から1.3GHzのILC高電界形状(LL形状)の超伝導空洞を製作した。これまでの巨大結晶単セル空洞の研究では、LL形状・巨大結晶ニオブ材・化学研磨の組合わせにより、35MV/m以上の高電界の達成が可能である。9-セル空洞で単セル空洞並みの性能が得られるかどうかを調べた。本論文ではこの空洞の製作及び2Kでの測定性能結果について報告する。 |