• K. Saito, F. Furuta, T. Konomi, H. Inoue
  高エネルギー加速器研究機構
• H. Umezawa, K. Takeuchi
  Tokyo Denkai Co. Ltd.
• K. Nishimura
  Co. Ltd. TKX
• T. Hamazaki, J. Oya
  Toyo Advanced Technologies Co. Ltd.

シリコンウエハースライス技術を応用して、巨大結晶ニオブインゴットから直接空洞ハーフセル材を製作した。この材料から1.3GHzのILC高電界形状（ＬＬ形状）の超伝導空洞を製作した。これまでの巨大結晶単セル空洞の研究では、ＬＬ形状・巨大結晶ニオブ材・化学研磨の組合わせにより、35MV/m以上の高電界の達成が可能である。９－セル空洞で単セル空洞並みの性能が得られるかどうかを調べた。本論文ではこの空洞の製作及び２Ｋでの測定性能結果について報告する。

• F. Furuta, K. Saito
  高エネルギー加速器研究機構

KEKでは、ICHIRO形状の単セル超伝導空洞による50MV/m高電界達成の原理実証を行った。同時に、歩留まりよく高電界を達成するための表面処理レシピの改善を行ってきた。実際の加速器に用いる空洞同様にエンドグループ（高調波(HOM)減衰器やインプットカプラーポート）を持った単セル空洞(エンドシングルセル)では、エンドグループ無しの単セル空洞と同じレシピでは高電界を達成できなかった。本報告では、エンドシングルセルに対する高電界レシピの改善とそのシリーズテストの結果について述べる。

• F. Furuta, K. Saito
  高エネルギー加速器研究機構

KEKでは、ICHIRO形状の9セル超伝導空洞による高電界の原理実証を目指した研究を続けている。その中で9セル特有の問題点を明らかにし対策を行いながら、電界強度の改善を行ってきた。例えば、9個のセルにおける電界強度平坦度（フィールドフラットネス）の調整後、それが表面処理・縦測定前後でどのように変化するか各ステップで測定し、その保存に努めてきた。本報告ではICHIRO形状9セル空洞における高電界との戦いとその現状について述べる。