WEP039 　加速器技術／粒子源　 8月5日 小ホール 13:00 - 15:00

CsTe薄膜によるGaAsフォトカソードNEA活性化の研究

Study for activation of NEA-GaAs photo-cathode with CsTe thin film

○根岸 健太郎，内田 和秀，栗木 雅夫（広島大）

○Kentaro Negishi, Kazuhide Uchida, Masao Kuriki (Hiroshima Univ.)

NEA-GaAsフォトカソードは、 高スピン偏極、大電流電子ビームが生成可能であるが、 一方でその脆弱性が課題である。 本研究では、従来のCs-OによるGaAsのNEA活性化に替えて、 高耐久が期待されるCsTe半導体薄膜による表面修飾を試み、 NEA表面状態を示唆する結果を得た。