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Tsukamoto, M.

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WOVAA01 電極およびグルーブ(縦溝)構造による陽電子蓄積リングビームダクト内の電子雲密度低減 381
 
  • Y. Suetsugu, H. Fukuma, K. Shibata, H. Hisamatsu
    高エネルギー加速器研究機構 加速器研究施設
  • M. Pivi, L. Wang
    SLAC National Accelerator Laboratory
  • M. Tsukamoto, Y. Suzuki, A. Morishige, M. Tsuchiya
    金属技研株式会社
 
 

電子雲によるビーム不安定性の抑制は、近年の陽電子/陽子リングにおいて重要な課題である。ビームダクト内に電極を設置して静電場により電子雲を除去する、いわゆる電子除去電極は電磁石内でも使用可能な解決法である。また、ダクト内表面にグルーブ(縦溝)加工を施して二次電子放出率を実効的に下げる手法も同じく有効な手段である。我々は、内表面に極薄電極、およびグルーブ加工を持った試験チェンバーを製作し、KEKB陽電子リングに設置してこれらの効果を実験的に調べてきた。その結果、TiNコーティングを施した平面と比較して、電極の場合+300V以上印加時に約1/100程度と電子密度の大幅な減少が得られた。また、グルーブ表面(TiNコーティングあり)の場合も、1/10程度の電子密度低減が確認された。磁場中にてグルーブ加工表面の効果を世界で初めて実証した。実機に向けたR&Dを含めてこれらの結果を報告する。