• R. Kinjo, T. Kii, M. Bakr Arby, K. Higashimura, K. Yoshida, S. Ueda, T. Sonobe, K. Masuda, K. Nagasaki, H. Ohgaki
  京都大学エネルギー理工学研究所
• H. Zen
  自然科学研究機構　分子科学研究所　極端紫外光研究施設

京都大学エネルギー理工学研究所では、アンジュレータの強磁場・短周期化を めざして高温超伝導バルク磁石を用いた新型アンジュレータの開発を行っている。 実験において、高温超伝導バルク磁石に着磁する磁場を強くすると、 アンジュレータ磁場振幅のばらつきが大きくなる現象がみられた。 この原因として、着磁磁場が弱い条件では、磁石個々の臨界電流密度のばらつきは 電流の流れる領域が大小することによって吸収され全ての磁石は同じ強さとみな せるのに対し、着磁磁場が強い条件では、電流は磁石全体に流れ磁石の強さは臨界電流密度に比 例するようになる、という事が考えられる。 この問題の解決策を検討するため、ビーンモデルに基づく計算モデルに磁石個々 の臨界電流密度を取り入れた計算を行った。 アンジュレータ磁場振幅のばらつきの、磁石個々の臨界電流密度のばらつき及び 着磁磁場の強さへの依存性を調べ、許容範囲の検討を行った。