• C. Shonaka, M. Kuriki, H. Iijima, D. Kubo, Y. Masumoto, H. Okamoto, H. Higaki, K. Ito
  広島大学 大学院先端物質科学研究科
• M. Yamamoto
  高エネルギー加速器研究機構
• T. Konomi
  総合研究大学院大学
• M. Kuwahara, S. Okumi, T. Nakanishi
  名古屋大学　大学院理学研究科

広島大学ビーム物理研究室では、高輝度電子源のためのGaAs光カソードの研究をおこなっており、より高い量子効率でかつ長寿命のカソード生成を目指している。本実験では、将来の高輝度電子ビーム発生で使用する大強度レーザーによる、GaAs表面加熱の寿命への影響について研究した。GaAsにおいて、Csと酸素の蒸着(Yo-Yo法)によりNEA表面を生成した後、GaAsを加熱し、そのときの寿命の変化を測定した。その結果、カソードの温度上昇とともに寿命が急激に低下することが分かった。また、寿命が時間のみに依存するダーク寿命と、引き出し電荷量に依存するビーム寿命からなると仮定し、各々を加熱時、非加熱時で比較した。非加熱時の寿命はほぼビーム寿命で決まっているのに対し、温度上昇時にはダーク寿命が急激に低下し、その成分が支配的となることが分かった。