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卓上レーザー駆動航跡場加速による、準単色、サブGeV電子ビーム生成 | ||
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レーザー航跡場電子加速スキームを用いて、高エネルギー、大チャージ、極短バンチ、準単色、低エミッタンスの電子ビームを安定に生成することを目指し研究開発を進めてきた。これまでにプラズマ発生部に弱い外部磁場を印加することによって、ビームの電荷量、指向性、ポジション安定性が劇的に改善することを実証した。さらに、外部磁場と同軸伝播するレーザーパルスでプラズママイクロオプティクスを過渡的に形成し高強度レーザーパルスの伝播を制御することを考案した。これにより電子入射部と加速チャネル部からなる2段階加速スキームを実現し、良好なエミッタンス(〜0.02πmmmrad)と高いポジション安定性を維持しながら、電子ビームの高エネルギー化と準単色化(〜100MeV,ΔE/E〜10%)を同時に達成した。加えて、7TW50fsの卓上レーザーを用いて〜0.4GeVの準単色電子ビーム発生も確認した。 |